IGBT是一种MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。低得多的导通状态电压降仅变化
介于+25°C和+150°C之间。与IGBT并联使用的二极管是具有软恢复特性的超快（tRR<60ns）二极管。
特色
•20A，500V
•无闩锁操作
•典型下降时间<500ns
•高输入阻抗
•低传导损耗
•带反并联二极管
•tRR<60ns
HGTG20N50C1D
- 描述:集电极击穿电压: 500 V 最大集电极电流 (Ic): 26A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 43
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 43+ | 51.20730 | 2201.91402 |
- 库存: 3117
- 单价: ¥51.20730
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,201.91
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 开关能量 -
- 开通/关断延时 (25°C) -
- 试验条件 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商
- 集电极击穿电压 500 V
- 最大功率 75 W
- 供应商设备包装 TO-247
- 最大整流电流 (Icm) 35A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 3.2V @ 20V, 35A
- 门电荷 33 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 26A
- 材质 -
HGTG20N50C1D 产品详情
HGTG20N50C1D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
| HGT4E30N60C3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥34.33135 | |
| HGT1S14N41G3VLT | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥12.81993 | |
 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
| HGT3FS330KG3BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：3kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTG20N50C1D所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTG20N50C1D 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTG20N50C1D价格参考￥51.207303，你可以下载 HGTG20N50C1D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTG20N50C1D规格参数、现货库存、封装信息等信息！