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HGTG30N60B3D是IGBT 600V 60A 208W TO247，包括管封装，它们设计用于HGTG30N80B3D_NL零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于to-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单一配置，该设备的最大功率为208W，反向恢复时间trr为55ns，集电器Ic最大值为60A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为220A，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，开关能量为550μJ（on），680μJ（关），栅极电荷为170nC，25°C时的Td为36ns/137ns，测试条件为480V、30A、3 Ohm、15V，Pd功耗为208 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.45 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为60A。
HGTG30N60C3D是IGBT 600V 63A 208W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.8V@15V、30A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供1.05mJ（开）、2.5mJ（关）等开关能量功能。供应商设备包设计为在to-247中工作，除了60ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作208W最大功率。此外，Pd功耗为208 W，该设备以HGTG30N60C3D_NL零件别名提供，该设备有一个包装管，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-40℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为+/-100 nA，栅极电荷为162nC，集电极脉冲Icm为252A，集电极Ic最大值为63A，连续集电极电流Ic最大为63 A，25℃时的连续集电极电压为63 A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集极-发射极饱和电压为1.5 V。
HGTG30N60C3是HIR制造的600V 63A 208W TO247 IGBT。HGTG30N60C3采用TO-247-3封装，是IGBT的一部分-单体，并支持IGBT 600V 63A 208W TO247。
HGTG30N60D1D，带有HIR制造的EDA/CAD模型。HGTG30N60D1D采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
