30N60A4D是一种MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。低得多的导通状态压降仅在25℃和150℃之间适度变化。这种IGBT非常适合在高频下工作的许多高压开关应用，在高频下，低传导损耗是必不可少的。该设备已针对高频开关电源进行了优化。
特色
- TJ=125°C时60ns下降时间
应用
- 其他工业
HGTG30N60A4D
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 463 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 49.62561 | 49.62561 |
| 10+ | 43.84541 | 438.45417 |
| 30+ | 40.32475 | 1209.74256 |
| 90+ | 37.37159 | 3363.44373 |
- 库存: 0
- 单价: ¥49.62561
-
数量:
- +
- 总计: ¥49.63
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 部件状态 不适用于新设计
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大集电极电流 (Ic) 75 A
- 反向恢复时长 (trr) 55 ns
- 最大整流电流 (Icm) 240 A
- 最大功率 463 W
- 试验条件 390V, 30A, 3欧姆, 15V
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 门电荷 225 nC
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 30A
- 开关能量 280J (on), 240J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 25ns/150ns
HGTG30N60A4D 产品详情
HGTG30N60A4D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
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 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
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| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTG30N60A4D所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTG30N60A4D 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTG30N60A4D价格参考￥49.625613，你可以下载 HGTG30N60A4D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTG30N60A4D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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