9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HGTG10N120BND，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。HGTG10N120BND参考价格为4.14000美元。onsemi HGTG10N120BND封装/规格：IGBT NPT 1200V 35A TO247-3。您可以下载HGTG10N120BND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HGTD7N60C3S9A是IGBT 600V 14A 60W TO252AA，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于HGTD7N80C3S9A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-252AA，该设备为单配置，该设备的最大功率为60W，集电器Ic最大值为14A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为56A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，7A，开关能量为165μJ（开），600μJ（关），栅极电荷为23nC，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，25 C时的连续集电极电流为14 A，栅极-发射极漏电流为+/-250 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为14A。
HGTD7N60C3S是HARRIS制造的600V 14A 60W TO252AA IGBT。HGTD7N60C3S采用TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63封装，是IGBT的一部分-单体，支持600V 14A 60W TO252AA。
HGTG10N120BN是由FAIRCHILD制造的IGBT 1200V 35A 298W TO247。HGTG10N120BN采用TO-247-3封装，是IGBT的一部分-单体，支持IGBT 1200V 35A 298W TO247。
