久芯网

HGTG20N60B3D

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 165瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.81459 36.81459
10+ 35.99485 359.94859
30+ 35.43785 1063.13574
100+ 34.88085 3488.08580
  • 库存: 0
  • 单价: ¥36.81460
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥36.81
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 门电荷 80 nC
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 最大整流电流 (Icm) 160 A
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 反向恢复时长 (trr) 55 ns
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大功率 165瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 20A
  • 开关能量 475J (on), 1.05mJ (off)

HGTG20N60B3D 产品详情

HGTG20N60B3D是一种600V N沟道IGBT,带有反并联超快二极管。UFS系列MOS门控高压开关器件结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。低得多的导通状态压降仅在25°C和150°C之间适度变化。与IGBT反并联使用的二极管是RHRP3060。IGBT非常适合于在中等频率下工作的许多高压开关应用,其中低传导损耗是必不可少的。Fairchild通过各种工艺技术(从300V到1200V以上)提供广泛的IGBT器件组合。优化的制造工艺可提高顶侧结构的控制和重复性,从而实现更严格的规范和更好的EMI性能。本产品通用,适用于许多不同的应用。

特色

  • TJ=150°C时的140ns下降时间

应用

电机驱动和控制、电源管理、工业
HGTG20N60B3D所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),HGTG20N60B3D 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HGTG20N60B3D价格参考¥36.814596,你可以下载 HGTG20N60B3D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HGTG20N60B3D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部