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HGTG5N120BND是IGBT 1200V 21A 167W TO247，包括管封装，它们设计为与HGTG5N220BND_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，具有通孔等安装样式特征，封装外壳设计为适用于to-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备最大功率为167W，反向恢复时间trr为65ns，集电器Ic最大值为21A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电器脉冲Icm为40A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，5A，开关能量为450μJ（开），390μJ（关），栅极电荷为53nC，25°C时的Td为22ns/160ns，测试条件为960V，5A，25欧姆，15V，Pd功耗为167W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极-发射极饱和电压为2.45V，25℃时的连续集电极电流为21A，栅极-发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为21A。
HGTG7N60A4D是IGBT 600V 34A 125W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、7A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、7A、25欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如11ns/100ns，开关能量设计为在55μJ（开）、60μJ（关）下工作，以及TO-247AD供应商设备包，该设备也可以用作34ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为125W，该设备采用管式封装，该设备具有TO-3P-3、SC-65-3封装盒，安装类型为通孔，输入类型为标准型，栅极电荷为37nC，集流器脉冲Icm为56A，集流器Ic最大值为34A。
HGTG7N60A4是IGBT 600V 34A 125W TO247，包括34A集流器Ic Max，设计用于56A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于37nC的栅极电荷，提供输入型功能，如标准，安装型设计用于通孔，以及to-3P-3、SC-65-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为125W，该设备在TO-247AD供应商设备包中提供，该设备具有55μJ（开）、60μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为11ns/100ns，测试条件为390V、7A、25 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.7V@15V、7A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
HGTG5N120CND，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。HGTG5N120CND采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
