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HGT1S10N120BNST是IGBT 1200V 35A 298W TO263AB，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.046296 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB等包装箱功能，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供298W最大功率，该设备具有35A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，电流收集器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，10A，开关能量为320μJ（开）、800μJ（关），栅极电荷为100nC，25°C时的Td为23ns/165ns，测试条件为960V，10A，10 Ohm，15V，Pd功耗为298 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.7 V，25 C时的连续集电极电流为35 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为35A。
HGT1S10N120BNS是IGBT 1200V 35A 298W TO263AB，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于960V、10A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如23ns/165ns，开关能量设计为在320μJ（开）、800μJ（关）下工作，除了TO-263AB供应商器件封装外，该器件还可以用作298W最大功率。此外，封装为管，该器件提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA封装外壳，该器件具有安装类型的表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为100nC，集流器脉冲Icm为80A，集流器Ic Max为35A。
HGT1N40N60A4D是IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227，包括单一配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供标准等输入功能，安装类型设计用于底盘安装，以及无NTC热敏电阻，该装置也可以用作SOT-227-4、miniBLOC包装箱。此外，最大功率为298W，该设备在SOT-227供应商设备包中提供，该设备具有2.7V@15V，最大Vge Ic上的Vce为40A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
