特色
- TJ=150°C时的340ns下降时间
HGTG11N120CND
- 描述:IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 450+ | 20.08422 | 9037.90305 |
- 库存: 4500
- 单价: ¥34.07163
-
数量:
- +
- 总计: ¥34.07
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规格参数
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 1200伏
- IGBT型 NPT
- 部件状态 不适用于新设计
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大整流电流 (Icm) 80 A
- 门电荷 100 nC
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 最大集电极电流 (Ic) 43 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 11A
- 最大功率 298 W
- 开通/关断延时 (25°C) 23ns/180ns
- 试验条件 960V、11A、10欧姆、15V
- 反向恢复时长 (trr) 70 ns
- 开关能量 950J（开），1.3mJ（关）
HGTG11N120CND 产品详情
HGTG11N120CND是一个1200V N沟道IGBT，带有反并联超快二极管。它采用非穿通（NPT）IGBT设计。该NPT系列是MOS门控高压开关IGBT系列的新成员。IGBT结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。为设计高效可靠的系统提供了较低的传导损耗和较低的开关损耗。Fairchild通过各种工艺技术（从300V到1200V以上）提供广泛的IGBT器件组合。优化的制造工艺可提高顶侧结构的控制和重复性，从而实现更严格的规范和更好的EMI性能。本产品通用，适用于许多不同的应用。
HGTG11N120CND 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
| HGT4E30N60C3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥34.33135 | |
| HGT1S14N41G3VLT | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥12.81993 | |
 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
| HGT3FS330KG3BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：3kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTG11N120CND所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTG11N120CND 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTG11N120CND价格参考￥34.071630，你可以下载 HGTG11N120CND中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTG11N120CND规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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