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HGTD1N120BNS9A是IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装外壳功能，输入类型设计为标准工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-252AA供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供60W最大功率，该设备具有5.3A的集电极Ic Max，集电极-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电极脉冲Icm为6A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，1A，开关能量为70μJ（开）、90μJ（关），栅极电荷为14nC，25°C时的Td为15ns/67ns，测试条件为960V，1A，82 Ohm，15V，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为5.3 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为5.3A。
HGTD3N60C3S9A是IGBT 600V 6A 33W TO252AA，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、3A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于480V、3A、82欧姆、15V，提供85μJ（开）、245μJ（关）等开关能量功能。供应商设备包设计为在D-Pak中工作，除了33W最大功率外，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，该器件为表面安装安装型，该器件具有输入型标准，栅极电荷为10.8nC，集电脉冲Icm为24A，集电器Ic最大值为6A。
HGTD1N120BNS，带有FAIRCHILD制造的电路图。HGTD1N120BNS采用TO-252-2封装，是IGBT的一部分-单体。
HGTD3N60C3S是INTERSIL制造的IGBT 600V 6A 33W TO252AA。HGTD3N60C3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 600V 6A 33W TO252AA。
