特色
- 低饱和电压
- 低导通电阻导致的低导通损耗
- 125°C结温下的58ns下降时间
应用
- 其他工业
HGTG30N60A4
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 463 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 10
- 单价: ¥66.66143
-
数量:
- +
- 总计: ¥66.66
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 部件状态 过时的
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大集电极电流 (Ic) 75 A
- 最大整流电流 (Icm) 240 A
- 最大功率 463 W
- 试验条件 390V, 30A, 3欧姆, 15V
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 门电荷 225 nC
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 30A
- 开关能量 280J (on), 240J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 25ns/150ns
HGTG30N60A4 产品详情
HGTG30N60A4是一款SMPS IGBT，结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗的最佳特性。这种IGBT非常适合在高频下工作的许多高压开关应用，在高频下，低传导损耗是必不可少的。该设备已针对快速切换应用进行了优化。
HGTG30N60A4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
| HGT4E30N60C3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥34.33135 | |
| HGT1S14N41G3VLT | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥12.81993 | |
 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
| HGT3FS330KG3BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：3kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTG30N60A4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTG30N60A4 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTG30N60A4价格参考￥66.661428，你可以下载 HGTG30N60A4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTG30N60A4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
