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RJK0603DPN-E0#T2
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RJK0603DPN-E0#T2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: 150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥72.21171
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥72.21
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 最大功耗 125W（Tc）
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 工作温度 150摄氏度（TJ）
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 57 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.2毫欧姆 @ 40A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4150 pF @ 10 V

RJK0603DPN-E0#T2 产品详情

9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的RJK0603DPN-E0#T2，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。RJK0603DPN-E0#T2参考价格9.97美元。Renesas Electronics America Inc RJK0603DPN-E0#T2封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB。您可以下载RJK0603DPN-E0#T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RJK0603DPN-E0#T2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。

RJK03R1DPA-00#J5A，带有RENESAS制造的引脚细节。RJK03R1DPA-00#J5A在DFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。

RJK0406JPE-00#J3，带有RENESAS制造的用户指南。RJK0406JPE-00#J3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。

RJK0531DPA，带有RENESAS制造的电路图。RJK0531DPA在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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RJK0603DPN-E0#T2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJK0603DPN-E0#T2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJK0603DPN-E0#T2价格参考￥72.211713，你可以下载 RJK0603DPN-E0#T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJK0603DPN-E0#T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...

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