- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
RJK4532DPD-00#J2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 40.3W (Tc) 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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- 单价: ¥5.75086
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.75
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电压标 (Vdss) 450伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@25 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 MP-3A
- 最大功耗 40.3W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2.3欧姆@2A，10V
RJK4532DPD-00#J2 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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RJK4532DPD-00#J2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJK4532DPD-00#J2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJK4532DPD-00#J2价格参考￥5.750863，你可以下载 RJK4532DPD-00#J2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJK4532DPD-00#J2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
