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RJK5030DPD-00#J2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 41.7W (Tc) 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥48.42603
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥48.43
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 500 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta)
  • 最大功耗 41.7W (Tc)
  • 供应商设备包装 MP-3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.6欧姆@2A,10V

RJK5030DPD-00#J2 产品详情

RJK5030DPD-00#J2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RJK5030DPD-00#J2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJK5030DPD-00#J2价格参考¥48.426029,你可以下载 RJK5030DPD-00#J2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJK5030DPD-00#J2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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