9icnet为您提供由其他公司设计和生产的2N5639，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5639参考价格0.29000美元。其他2N5639封装/规格：小信号FET。您可以下载2N5639英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如2N5639价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
2N5638RLRA是JFET N-CH 35V 0.31W TO92，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-92-3，FET类型设计用于N通道，以及310mW最大功率，该器件也可以用作35V电压击穿V BRGSS。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供50mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，该器件具有10pF@12V（Vgs）输入电容Ciss Vds，电阻RDS On为30欧姆。
2N5638RLRAG是JFET N-CH 35V 0.31W TO92，包括35V电压击穿V BRGSS，它们设计为与to-92-3供应商设备包一起工作，数据表说明中显示了电阻RDS On，用于30欧姆，提供310mW等最大功率特性，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）封装盒，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Ciss Vds为10pF@12V（VGS），该器件为N沟道FET型，该器件具有30V漏极到源极电压Vdss，电流漏极Idss Vds VGS=0为50mA@20V。
2N5638_D26Z，带电路图，包括50mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与N沟道FET类型一起工作，数据表注释中显示了用于10pF@12V（Vgs）的输入电容Ciss Vds，其提供安装类型特征，如通孔，封装外壳设计为在to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）中工作，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该设备还可以用作350mW最大功率。此外，电阻RDS On为30欧姆，该设备在TO-92-3供应商设备包中提供，该设备具有30V的电压击穿V BRGSS。
