9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HGTP5N120BND，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。HGTP5N120BND价格参考1.64260美元。onsemi HGTP5N120BND封装/规格：IGBT 1200V 21A 167W TO220AB。您可以下载HGTP5N120BND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HGTP3N60A4D是IGBT 600V 17A 70W TO220AB，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-220AB中工作，以及70W最大功率，该装置也可用作29ns反向恢复时间trr。此外，集流器Ic最大值为17A，该器件提供600V集流器发射极击穿最大值，该器件具有40A集流器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，3A，开关能量为37μJ（开）、25μJ（关），栅极电荷为21nC，25°C下的Td为6ns/73ns，测试条件为390V、3A、50欧姆、15V。
HGTP3N60C3D，带有HARRIS制造的用户指南。HGTP3N60C3D采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
HGTP5N120BN是INTERSIL制造的IGBT 1200V 21A 167W TO220AB。HGTP5N120BN采用TO-220-3封装，是IGBT的一部分-单体，支持IGBT 1200V 21A 167W TO220AB。
