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HGTP10N120BN

  • 描述:IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 800

数量 单价 合计
1+ 43.08873 43.08873
10+ 38.62222 386.22221
30+ 35.90027 1077.00822
100+ 33.61972 3361.97240
  • 库存: 0
  • 单价: ¥43.08874
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26,895.78
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • IGBT型 NPT
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 门电荷 100 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 35A
  • 最大功率 298 W
  • 试验条件 960V、10A、10欧姆、15V
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.7V @ 15V, 10A
  • 开通/关断延时 (25°C) 23ns/165ns
  • 开关能量 320J (on), 800J (off)

HGTP10N120BN 产品详情

HGTP10N120BN所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),HGTP10N120BN 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。HGTP10N120BN价格参考¥43.088736,你可以下载 HGTP10N120BN中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HGTP10N120BN规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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