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RBN40H65T1FPQ-A0#CB0

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 185瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 39.69109 39.69109
10+ 35.62782 356.27825
25+ 33.68527 842.13197
100+ 29.19323 2919.32330
250+ 27.69656 6924.14000
500+ 24.85198 12425.99150
1000+ 23.58650 23586.50400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥39.69109
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥39.69
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • IGBT型 沟槽
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 40A
  • 反向恢复时长 (trr) 55 ns
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 门电荷 28 nC
  • 供应商设备包装 TO-247A
  • 最大功率 185瓦
  • 开关能量 620J (on), 520J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 22ns/96ns
  • 试验条件 400V, 40A, 16欧姆, 15V
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBN40H65T1FPQ-A0#CB0价格参考¥39.691092,你可以下载 RBN40H65T1FPQ-A0#CB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBN40H65T1FPQ-A0#CB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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