RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 185瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 39.69109 | 39.69109 |
10+ | 35.62782 | 356.27825 |
25+ | 33.68527 | 842.13197 |
100+ | 29.19323 | 2919.32330 |
250+ | 27.69656 | 6924.14000 |
500+ | 24.85198 | 12425.99150 |
1000+ | 23.58650 | 23586.50400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥39.69109
-
数量:
- +
- 总计: ¥39.69
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- IGBT型 沟槽
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 40A
- 反向恢复时长 (trr) 55 ns
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 门电荷 28 nC
- 供应商设备包装 TO-247A
- 最大功率 185瓦
- 开关能量 620J (on), 520J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 22ns/96ns
- 试验条件 400V, 40A, 16欧姆, 15V
RBN40H65T1FPQ-A0#CB0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RBN40H65T1FPQ-A0#CB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBN40H65T1FPQ-A0#CB0价格参考¥39.691092,你可以下载 RBN40H65T1FPQ-A0#CB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBN40H65T1FPQ-A0#CB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...