RBN40H125S1FPQ-A0#CB0
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 1250伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 319瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 55.19089 | 55.19089 |
10+ | 49.85288 | 498.52881 |
25+ | 47.53080 | 1188.27017 |
100+ | 41.27076 | 4127.07680 |
250+ | 39.41615 | 9854.03800 |
500+ | 36.52884 | 18264.42100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥55.19090
-
数量:
- +
- 总计: ¥55.19
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 试验条件 600V, 40A, 10欧姆, 15V
- IGBT型 沟槽
- 门电荷 85 nC
- 集电极击穿电压 1250伏
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 最大功率 319瓦
- 供应商设备包装 TO-247A
- 反向恢复时长 (trr) 156 ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.34V @ 15V, 40A
- 开关能量 2mJ (on), 1.4mJ (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 25ns/124ns
RBN40H125S1FPQ-A0#CB0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RBN40H125S1FPQ-A0#CB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBN40H125S1FPQ-A0#CB0价格参考¥55.190898,你可以下载 RBN40H125S1FPQ-A0#CB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBN40H125S1FPQ-A0#CB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...