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RBN75H65T1FPQ-A0#CB0

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.84515 50.84515
10+ 45.95620 459.56201
25+ 43.81664 1095.41620
100+ 38.04622 3804.62290
250+ 36.33589 9083.97275
500+ 33.67427 16837.13500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥50.84516
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.85
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 75A
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • IGBT型 沟槽
  • 反向恢复时长 (trr) 72 ns
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 最大集电极电流 (Ic) 150 A
  • 供应商设备包装 TO-247A
  • 最大功率 312 W
  • 门电荷 54 nC
  • 开关能量 1.6mJ(开),1mJ(关)
  • 开通/关断延时 (25°C) 29ns/113ns
  • 试验条件 400V, 75A, 16欧姆, 15V
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBN75H65T1FPQ-A0#CB0价格参考¥50.845158,你可以下载 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBN75H65T1FPQ-A0#CB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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