RBN75H65T1FPQ-A0#CB0
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 50.84515 | 50.84515 |
10+ | 45.95620 | 459.56201 |
25+ | 43.81664 | 1095.41620 |
100+ | 38.04622 | 3804.62290 |
250+ | 36.33589 | 9083.97275 |
500+ | 33.67427 | 16837.13500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥50.84516
-
数量:
- +
- 总计: ¥50.85
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 75A
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- IGBT型 沟槽
- 反向恢复时长 (trr) 72 ns
- 工作温度 175摄氏度(TJ)
- 最大集电极电流 (Ic) 150 A
- 供应商设备包装 TO-247A
- 最大功率 312 W
- 门电荷 54 nC
- 开关能量 1.6mJ(开),1mJ(关)
- 开通/关断延时 (25°C) 29ns/113ns
- 试验条件 400V, 75A, 16欧姆, 15V
RBN75H65T1FPQ-A0#CB0所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RBN75H65T1FPQ-A0#CB0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RBN75H65T1FPQ-A0#CB0价格参考¥50.845158,你可以下载 RBN75H65T1FPQ-A0#CB0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RBN75H65T1FPQ-A0#CB0规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...