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IXFT66N20Q是MOSFET 66 Amps 200V，包括IXFT66N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为400 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为66A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-电源电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
IXFT69N30P是MOSFET 69安培300V 0.049 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于300 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT69N30系列，上升时间为25纳秒，Rds漏极源极电阻为49毫欧，Pd功耗为500瓦，封装为管，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为69 A，下降时间为27 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT6N100Q是MOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供Id连续漏极电流特性，如6 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.9欧姆，上升时间为15 ns，系列为IXFT6N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
