9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N5115E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5115E3参考价格$39.06000。Microchip Technology 2N5115E3封装/规格：JFET。您可以下载2N5115E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5115是JFET P-CH 30V TO-18，包括管封装，它们设计用于使用IFN5115零件别名，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-206AA、TO-18-3金属罐等封装外壳功能，技术设计用于硅，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-206AA（TO-18）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该器件提供500 mW Pd功耗，该器件具有-15 mA的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为-15 V，Rds漏极源极电阻为100欧姆，晶体管极性为P沟道，Vgs栅源极击穿电压为30 V，栅源截止电压为6 V。
2N5114JTXV02带有用户指南，其中包括P沟道晶体管极性，它们设计用于与to-206AA（to-18）供应商设备包一起操作，包装如数据表注释所示，用于管中，该管提供to-206A、to-18-3金属罐等包装箱功能，安装类型设计用于通孔。
2N5114UB，带有Microsemi制造的电路图。是JFET（结场效应）的一部分，支持JFET P沟道JFET、JFET P信道30V 500mW表面安装UB、Trans JFET P-CH 30V 3引脚UB。
