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2N5115UB/TR
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2N5115UB/TR

  • 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: UB 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 100

数量 单价 合计
1+ 429.94151 429.94151
200+ 166.38557 33277.11580
500+ 160.54232 80271.16300
1000+ 157.65222 157652.22800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥429.94151
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥42,994.15
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 击穿电压(V(BR)GSS) 30伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大正向电流 (Id) -
  • 安装类别 表面安装
  • 电阻-RDS(On) 100欧姆
  • 场效应管类型 P-通道
  • 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • 关闭电压 (VGS off) @ Id 6 V @ 1 nA
  • 包装/外壳 3-SMD,无引线
  • 供应商设备包装 UB
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 最大功率 500 mW
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25皮法 @ 15V
  • 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60 mA @ 15 V

2N5115UB/TR 产品详情

2N5115UB/TR所属分类:结栅场效应晶体管 (JFET),2N5115UB/TR 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N5115UB/TR价格参考¥429.941514,你可以下载 2N5115UB/TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N5115UB/TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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