9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HGTD3N60C3S9A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HGTD3N60C3S9A参考价格为34.5854美元。onsemi HGTD3N60C3S9A封装/规格：IGBT 600V 6A 33W TO252AA。您可以下载HGTD3N60C3S9A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HGTD1N120BNS9A是IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装外壳功能，输入类型设计为标准工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-252AA供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供60W最大功率，该设备具有5.3A的集电极Ic Max，集电极-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电极脉冲Icm为6A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，1A，开关能量为70μJ（开）、90μJ（关），栅极电荷为14nC，25°C时的Td为15ns/67ns，测试条件为960V，1A，82 Ohm，15V，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为5.3 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为5.3A。
HGTD1N120BNS，带有FAIRCHILD制造的用户指南。HGTD1N120BNS采用TO-252-2封装，是IGBT的一部分-单体。
HGTD3N60C3S是INTERSIL制造的IGBT 600V 6A 33W TO252AA。HGTD3N60C3S可提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT 600V 6A 33W TO252AA。
