9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HGT1S7N60C3DS9A，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。HGT1S7N60C3DS9A参考价格$8.162。onsemi HGT1S7N60C3DS9A封装/规格：IGBT 600V 14A 60W TO263AB。您可以下载HGT1S7N60C3DS9A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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HGT1S7N60C3DS是IGBT 600V 14A 60W TO263AB，包括管封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于TO263AB，以及60W最大功率，该装置也可以用作37ns反向恢复时间trr。此外，集流器Ic最大值为14A，该器件提供600V集流器-发射极击穿最大值，该器件具有56A集流器脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，7A，开关能量为165μJ（开）、600μJ（关），栅极电荷为23nC，测试条件为480V，7A、50欧姆，15V。
HGT1S7N60B3S，带有FAIRCHILD制造的用户指南。HGT1S7N60B3S采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
HGT1S7N60C3D是由FAI制造的Trans IGBT芯片N-CH 600V 14A 60000mW 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。HGT1S7N60C3D采用TO263封装，是IGBT的一部分-单个，并支持Trans IGBT芯片N-CH 600V 14A 60000mW 3引脚（3+Tab）TO-220AB导轨。
