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HGTP10N120BN是IGBT 1200V 35A 298W TO220AB，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计为在to-220AB中工作，以及298W最大功率，该器件还可以用作35A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件为NPT IGBT型，该器件具有80A集流脉冲Icm，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，10A，开关能量为320μJ（开）、800μJ（关），栅极电荷为100nC，25°C下的Td为23ns/165ns，测试条件为960V，10A，10 Ohm，15V。
HGTN30N60AA4D，带有IXYS制造的用户指南。HGTN30N60AA4D在模块包中提供，是模块的一部分。
HGTN40N60，带有ST制造的电路图。HGTN40N80可在模块包中获得，是模块的一部分。
HGTP10N120BN G10N120BN，带有FSC制造的EDA/CAD模型。HGTP10N120BN G10N120BN采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
