特色
- 8A，600V@温度=110°C
- 低饱和电压：V CE（sat）=2.0 V@I C=3A
- 典型下降时间。TJ=125°C时为70ns
- 低传导损耗
应用
- 其他工业
- 不间断电源
HGTP3N60A4D
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 245
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 245+ | 8.90876 | 2182.64791 |
- 库存: 25328
- 单价: ¥8.90877
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,182.65
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规格参数
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 制造厂商
- 部件状态 过时的
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 最大集电极电流 (Ic) 17 A
- 最大整流电流 (Icm) 40 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.7V @ 15V, 3A
- 最大功率 70 W
- 开关能量 37J (on), 25J (off)
- 门电荷 21 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 6ns/73ns
- 试验条件 390V, 3A, 50欧姆, 15V
- 反向恢复时长 (trr) 29纳秒
- 包装/外壳 至220-3
- 供应商设备包装 TO-220-3
HGTP3N60A4D 产品详情
HGTP3N60A4D结合了MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗的最佳特性。这种IGBT非常适合在高频下工作的许多高压开关应用，在高频下，低传导损耗是必不可少的。该设备已针对快速切换应用进行了优化，如UPS和焊机。
HGTP3N60A4D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
| HGT4E30N60C3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥34.33135 | |
| HGT1S14N41G3VLT | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥12.81993 | |
 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
| HGT3FS330KG3BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：3kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTP3N60A4D所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTP3N60A4D 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTP3N60A4D价格参考￥8.908767，你可以下载 HGTP3N60A4D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTP3N60A4D规格参数、现货库存、封装信息等信息！