9icnet为您提供由其他公司设计和生产的HGT1S12N60B3DS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HGT1S12N60B3DS价格参考$1.30000。其他HGT1S12N60B3DS封装/规格：27A，600V，UFS N通道IGBT W/。您可以下载HGT1S12N60B3DS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如HGT1S12N60B3DS价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HGT1S10N120BNST是IGBT 1200V 35A 298W TO263AB，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.046296 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB等包装箱功能，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供298W最大功率，该设备具有35A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，电流收集器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，10A，开关能量为320μJ（开）、800μJ（关），栅极电荷为100nC，25°C时的Td为23ns/165ns，测试条件为960V，10A，10 Ohm，15V，Pd功耗为298 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.7 V，25 C时的连续集电极电流为35 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为35A。
HGT1S10N120BNS是IGBT 1200V 35A 298W TO263AB，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于960V、10A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如23ns/165ns，开关能量设计为在320μJ（开）、800μJ（关）下工作，除了TO-263AB供应商器件封装外，该器件还可以用作298W最大功率。此外，封装为管，该器件提供TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA封装外壳，该器件具有安装类型的表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为100nC，集流器脉冲Icm为80A，集流器Ic Max为35A。
HGT1S12N60A4S9A是IGBT 600V 54A 167W TO263AB，包括54A集流器Ic Max，设计用于96A集流脉冲Icm，数据表中显示了用于78nC的栅极电荷，该78nC提供输入型功能，如标准，安装型设计用于表面安装，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，最大功率为167W，该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有55μJ（开）、50μJ（关）的开关能量，25°C时的Td开/关为17ns/96ns，测试条件为390V、12A、10 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为2.7V@15V，12A，电压收集器-发射器击穿最大值为600V。
HGT1S12N60A4DS是IGBT 600V 54A 167W D2PAK，包括管封装，它们设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供输入类型功能，如标准、供应商设备包设计用于D2PAK以及96A集电器脉冲Icm，该器件也可以用作78nC栅极电荷。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该设备提供55μJ（开）、50μJ（关）开关能量，该设备集电器Ic最大值为54A，测试条件为390V、12A、10 Ohm、15V，反向恢复时间trr为30ns，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V、12B，25°C下的Td为17ns/96ns，最大功率为167W。
