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HGTD7N60C3S9A是IGBT 600V 14A 60W TO252AA，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于HGTD7N80C3S9A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-252AA，该设备为单配置，该设备的最大功率为60W，集电器Ic最大值为14A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为56A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，7A，开关能量为165μJ（开），600μJ（关），栅极电荷为23nC，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.6 V，25 C时的连续集电极电流为14 A，栅极-发射极漏电流为+/-250 nA，并且最大栅极-发射极电压为+/-20V，并且连续集电极电流Ic-Max为14A。
HGTD6N50E1，带有INTERSIL制造的用户指南。HGTD6N50E1采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
HGTD6N50E1S，带有FAIRCHIL制造的电路图。HGTD6N50E1S采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
HGTD7N60C3S是HARRIS制造的600V 14A 60W TO252AA IGBT。HGTD7N60C3S采用TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63封装，是IGBT的一部分-单体，支持600V 14A 60W TO252AA。
