9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2N5460，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N5460参考价格35.349435美元。onsemi 2N5460包装/规格：JFET P-CH 40V 0.35W TO92。您可以下载2N5460英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5459_D27Z，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如to-92-3，FET类型设计用于N通道，以及625mW最大功率，该器件也可以用作25V电压击穿V BRGSS。此外，电流漏极Idss Vds Vgs=0为4mA@15V，该器件提供2V@10nA电压切断Vgs关闭Id，该器件具有7pF@15V输入电容Ciss Vds。
2N5459_D74Z，带有用户指南，包括2V@10nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于25V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，其提供最大功率功能，如625mW，封装设计用于磁带盒（TB），以及to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）封装盒，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，该器件为N沟道FET型，该器件具有4mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
2N5459_D75Z，带电路图，包括4mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与N沟道FET类型一起工作，输入电容Ciss Vds如数据表注释所示，用于7pF@15V，提供安装类型特征，如通孔，封装外壳设计为在to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）中工作，除了磁带盒（TB）封装外，该设备还可以用作625mW的最大功率。此外，供应商设备包是TO-92-3，该设备提供25V电压击穿V BRGSS，该设备具有2V@10nA的电压切断VGS关闭Id。
