9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2N5461,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N5461参考价格$11.107054。onsemi 2N5461包装/规格:JFET P-CH 40V 0.35W TO92。您可以下载2N5461英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5460_D74Z,带引脚细节,包括磁带盒(TB)封装,它们设计用于to-226-3、to-92-3(to-226AA)(成型引线)封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备封装功能,如to-92-3,FET类型设计用于P通道,以及最大功率350mW,该器件也可以用作40V电压击穿V BRGSS。此外,电流漏极Idss Vds Vgs=0为1mA@15V,该器件提供750mV@1μA电压切断Vgs关闭Id,该器件具有7pF@15V输入电容Ciss Vds。
2N5460_D75Z,带有用户指南,包括750mV@1μA电压切断VGS关断Id,它们设计用于40V电压击穿V BRGSS,数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包,其提供最大功率功能,如350mW,封装设计用于磁带盒(TB),以及to-226-3、to-92-3(to-226AA)(成型引线)封装盒,该装置也可以用作通孔安装型。此外,输入电容Ciss Vds为7pF@15V,该器件为P沟道FET型,该器件具有1mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
2N5460G是JFET P-CH 40V 0.35W TO92,包括1mA@15V电流漏Idss Vds Vgs=0,它们设计为与P沟道FET类型一起工作,输入电容Ciss Vds如数据表注释所示,用于7pF@15V,提供安装类型特征,如通孔,封装外壳设计为在to-226-3、to-92-3(to-226AA)以及散装封装中工作,该设备也可作为最大功率350mW使用。此外,供应商设备包为TO-92-3,该设备提供40V电压击穿V BRGSS,该设备具有750mV@1μa电压切断VGS关闭Id。