9icnet为您提供由onsemi设计和生产的2N5458G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N5458G参考价格$17.8912。onsemi 2N5458G包装/规格：JFET N-CH 25V 0.31W TO92。您可以下载2N5458G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N5458是JFET N-CH 25V 625MW TO92，包括2N5458系列，它们设计用于散装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于BK，提供0.016000盎司等单位重量功能，安装样式设计用于通孔，以及to-226-3、to-92-3（to-226AA）包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-92-3，该设备为单配置，该设备具有FET型N沟道，最大功率为625mW，电压击穿V BRGSS为25V，漏极至源极电压Vdss为25V；电流漏极Idss Vds Vgs=0为2mA@15V，电压截止Vgs关断Id为1V@10nA，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，Pd功耗为310mW，Id连续漏极电流为10mA，Vds漏极-源极击穿电压为25V，晶体管极性为N沟道，正向跨导Min为0.0015S至0.0055S，Vgs栅极-源极耐压为25V。
2N5458_D26Z，带有用户指南，包括1V@10nA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于25V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，提供最大功率功能，如625mW，包装设计用于磁带和卷盘（TR），以及to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）包装盒，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，该器件为N沟道FET型，该器件具有2mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
2N5458_D27Z，带电路图，包括2mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与N沟道FET类型一起工作，输入电容Ciss Vds如数据表注释所示，用于7pF@15V，提供安装类型特征，如通孔，封装外壳设计为在to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）中工作，除了磁带和卷轴（TR）包装外，该设备还可以用作625mW的最大功率。此外，供应商设备包为TO-92-3，该设备提供25V电压击穿V BRGSS，该设备具有1V@10nA电压切断VGS关闭Id。
