通用突变变容二极管
特色
- 伊斯兰主义
应用
- 伽马：0.5
- 击穿电压：30 V
- 质量因数@50 MHz，最小值：600
2N5461_D26Z
- 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥210.51243
-
数量:
- +
- 总计: ¥210.51
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 最大正向电流 (Id) -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 击穿电压（V（BR）GSS） 40伏
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 电阻-RDS(On) -
- 安装类别 通孔
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2 mA@15 V
- 包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 场效应管类型 P-通道
- 最大功率 350毫瓦
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 1伏@1A.
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7皮法 @ 15V
2N5461_D26Z 产品详情
2N5461_D26Z 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5461_D26Z所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2N5461_D26Z 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5461_D26Z价格参考￥210.512433，你可以下载 2N5461_D26Z中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5461_D26Z规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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