ZXMS6004ND8-13部件为60V N通道自我保护增强模式，由DIODES制造，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的ZXMS6004ND8-13组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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ZXMS6002GTA是IC MOSFET N-CHAN 60V SOT-223，包括INTELLIFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Intellifet，以及to-261-4、to-261AA包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，输入类型为非反相，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），设备具有N通道输出类型，功能为自动重启，通道数为1通道，接口为开/关，供应商设备包为SOT-223，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，配置为单通道，输出数为1，不需要电压源Vcc Vdd，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为385mOhm，电压负载为60V（最大值），电流输出最大值为1.6A，开关类型为通用型，晶体管类型为1N通道，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Id连续漏极电流为1.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为500 mΩ，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
ZXMS6004DGTA是IC低侧驱动器SOT223，包括3.3V、5V电压源Vcc Vdd，它们设计用于60V（最大）电压负载，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60V，具有0.000282 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为5 us，以及45 us典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为Intellifet，该器件采用Si技术提供，该器件具有通用开关类型，供应商器件封装为SOT-223，系列为INTELLIFETR，上升时间为10 us，Rds On Typ为350 mOhm，Rds On Drain Source Resistance为500 mOhms，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，Pd功耗为1.3 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-261-4、TO-261AA，输出类型为N通道，输出配置为低端，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出数量为1，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围-40°C，它的最大工作温度范围为+125 C，接口为开/关，输入类型为非反相，Id连续漏电流为900 mA，功能为自动重启，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，下降时间为15 us，电流输出最大值为1.3A。
ZXMS6003GTA是IC MOSFET N-CHAN 60V SOT223，包括1.4A电流输出最大值，它们设计用于限流（固定）、过温、过电压故障保护。数据表注释中显示了用于自动重启的功能，该功能提供了Id连续漏极电流功能，如1.6A，输入类型设计用于非反相，以及开/关接口，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，该设备采用SMD/SMT安装方式，该设备具有1个输出数量，其工作温度范围在-40°C~150°C（TJ），输出配置为低端，输出类型为N通道，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为2.5W，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，漏极-源极电阻Rds为500mOhm，典型电阻Rds值为385mOhm，系列为INTELLIFETR，供应商设备封装为SOT-223，开关类型为通用型，技术为Si，商品名为Intellifet，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13us，典型接通延迟时间为3us，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，电压负载为60V（最大值），不需要电源Vcc Vdd。
