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ZXMS6005SGTA是IC低侧驱动器，包括INTELLIFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Intellifet，以及to-261-4、to-261AA封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，输入类型为非反相，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），设备具有N通道输出类型，功能为自动重启，通道数为1通道，接口为开/关，供应商设备包为SOT-223，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，配置为单通道，输出数为1，电压源Vcc Vdd为3.3V、5V，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，输出配置为低侧，Rds On Typ为150mOhm，电压负载为60V（最大值），电流输出最大值为2A，开关类型为通用型，晶体管类型为1N通道，Pd功耗为1.6W，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，下降时间为19 us，上升时间为14 us，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，漏极-漏极电阻为250 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34us，典型接通延迟时间为6us，信道模式为增强。
ZXMS6005N8-13是MOSFET N-CHAN 60V SO8，包括3.3V、5V电源Vcc Vdd，它们设计用于60V（最大）电压负载，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60V，提供典型的开启延迟时间功能，如5 us，典型的关闭延迟时间设计用于34 us，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为IntelliFET，该器件采用Si技术，该器件具有通用开关类型，供应商器件封装为8-SO，上升时间为14us，Rds On Typ为150mOhm，Rds On漏极-源极电阻为250mOhm，输入/输出比为1899/12/30 1:01:00，Pd功耗为1.65W，包装是Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），输出类型为N沟道，输出配置为低端，工作温度范围为-40°C~125°C（TA），输出数量为1，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，接口为开/关，输入类型为非反相，Id连续漏电流为2A，功能为自动重启，故障保护为电流限制（固定）、过温、过电压，下降时间为19us，电流输出最大值为2.8A，配置为1N通道，通道模式为增强。
ZXMS6005DGTA是MOSFET N CH 60V 1.4A SOT223，包括2A电流输出最大值，它们设计用于电流限制（固定）、过温、过电压故障保护。数据表注释中显示了用于自动重启的功能，该功能提供了Id连续漏极电流功能，如2A，输入类型设计用于非反相，该器件还可以用作SMD/SMT安装样式。此外，输出数量为1，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），设备具有低侧输出配置，输出类型为N通道，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，封装为Digi-ReelR交替封装，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，漏极-源极电阻Rds为200 mOhms，Rds On Typ为150 mOhm，系列为Automotive、AEC-Q101、INTELLIFETR，供应商设备包为SOT-223，开关类型为通用型，技术为Si，商品名为Intellifet，晶体管极性为N沟道，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，电压负载为60V（最大值），并且电压源Vcc-Vdd为3.3V、5V。
ZXMS6005DT8TA是MOSFET N CH 60V 1.6A（Ta）SM8，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与SOT-223-8封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供供应商设备封装功能，如SM8，技术设计为在Si中工作，以及开/关接口，该设备也可以用作非反相输入类型。此外，输出类型为N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有低侧输出配置，商品名为Intellifet，开关类型为通用型，故障保护为限流（固定）、过温、过电压，系列为Automotive、AEC-Q101、INTELLIFETR，功能为自动重启，电压负载为60V（最大值），Vds漏极-源极击穿电压为60V，其工作温度范围为-40°C~125°C（TA），电压源Vcc Vdd为3.3V，5V，漏极-漏极电阻Rds为200mOhm，输出数量为2，输入输出比为1899/12/30 1:01:00，Rds On Typ为150mOhm，电流输出最大值为1.8A，Id连续漏电流为1.8A。
