ZXMS6001N3部件是由ZETEX制造的60V N通道自保护增强模式，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的ZXMS6001N3组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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ZXMP7A17KTC是MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK，包括ZXMP7A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为2.11W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为635pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为160 mOhm@2.1A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为9.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为3.4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-70V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为27.9ns，典型导通延迟时间为2.5ns，Qg栅极电荷为9.6nC，正向跨导Min为4.4S，信道模式为增强。
ZXMP7A17KQTC带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于ZXMP7A系列，包装如数据表说明所示，用于卷筒。
ZXMP7A17K，带有ZETEX制造的电路图。ZXMP7A17K提供TO-252封装，是FET的一部分-单体。
ZXMS60005DGTA，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。ZXMS60005DGTA采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
