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什么是分立半导体:

分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。

应用及使用:
  • 通用放大
  • 超级电容器自动平衡
  • 一般用途
  • 电流镜
  • 放大器
  • 栅极驱动器
  • 高频
  • 线性放大器偏置
  • 负载开关
  • CCD输出电路
  • 驱动器
  • 电源开关电路
更多
额定电压:
  • 12V PNP, 30V N Channel
  • 10.6伏
  • 20V NPN, 40V N Channel
  • 20V PNP, 12V P-Channel
  • 45V NPN,45V NPN
  • 12V NPN, 30V N Channel
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 120伏
  • 50V NPN, 15V N-Channel
  • 50V
  • 12V PNP, 30V N-Channel
  • 60V
  • 50V NPN, 45V NPN
  • 40V PNP, 30V N-Channel
  • 12V NPN, 30V N-Channel
  • 1700伏(1.7千伏)
  • 45V PNP, 50V N-Channel
  • 40V PNP, 60V N-Channel
  • 45V NPN, 50V N-Channel
  • 20V NPN, 40V N-Channel
  • 900V
  • 1500V(1.5千伏)
  • 45伏
  • 50V PNP, 60V N-Channel
  • 12伏、30伏
  • 250伏
  • 55V
  • 65V
  • 1200V(1.2千伏)
  • 50V PNP, 30V N Channel
  • 25V PNP, 20 N-Channel
  • 35V PNP, 20V P-Channel
  • 40V NPN, 50V P-Channel
更多
制造厂商:
  • 宝英电源 (Powerex)
  • 鲁光 (LGE)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 赛尔集团 (CEL)
  • 西门子 (Siemens)
  • 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 正芯半导体 (RealChip)
  • 中央半导体 (Central)
  • 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 合科泰 (Hottech)
  • 金开盛 (JKSEMI)
  • 永裕泰 (YONGYUTAI)
  • 领先线性器件 (Advanced Linear)
  • 钜兴 (JUXING)
  • 瑞隆源 (RUILON)
  • EIC半导体公司 (EIC)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 华科 (HUAKE)
  • 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 伯恩半导体 (BORN)
  • 马坎 (MACOM)
  • 力特 (Littelfuse)
  • 美国电源集成公司 (Power Integrations)
  • 齐洛格 (Zilog)
  • 快达 (Crydom)
  • 桑德斯 (SMC)
  • 佑风微 (YFW)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 德昌 (TC)
  • 固锝 (GOOD-ARK)
  • 威恩半导体有限公司 (WeEn)
  • 德州仪器 (Texas)
  • Multicomp (Multicomp)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 杰盛微 (JSMSEMI)
  • 蓝箭 (BLUE ROCKET)
  • 博通 (Broadcom)
  • 安世 (Nexperia)
  • 维攀微 (WPMtek)
  • 萨科微 (Slkor)
  • 浪涌元件公司 (SURGE)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 晶瓷 (KYOCERA AVX)
  • 富信 (FOSAN)
  • 森美特 (SUNMATE)
  • 森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom)
  • 乐山无线电 (LRC)
  • 微型商业组件 (Micro)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • HY电子 (HY)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • 台冠电子 (TDD)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 马康 (MACOM)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 平伟 (PINGWEI)
  • 菲尼克斯电气 (Phoenix)
  • 迈诺斯 (minos)
  • 强茂 (Panjit)
  • 创维 (SKYWORKS)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞特隆 (Rectron)
  • 志得 (ZHIDE)
  • 美国柏恩 (Bourns)
  • 南通康比 (HORNBY)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 特瑞仕 (Torex)
  • 时科 (SHIKUES)
  • NTE电子 (NTE)
  • 罗姆 (Rohm)
  • DComponents (DComponents)
  • 无锡铭芯微 (MICRO)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 宝力芯 (PSI)
  • KUU电子科技 (KUU)
  • 富芯森美 (FUXINSEMI)
  • 桑德斯微电子器件(南京)有限公司 (SMC Diode)
  • 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 先科电子 (Semtech)
  • 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • 威旺 (SEP)
  • 宝乘 (baocheng)
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 瑞能 (WeEn)
  • 旭昌辉 (XCH)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 美森科 (MSKSEMI)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 固得沃克 (GOODWORK)
  • 思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
额定电流(单位:安培):
  • 1.8A PNP,660毫安 N通道
  • 12A
  • 10A
  • 20A
  • 15毫安
  • 8A
  • 150毫安 NPN,50毫安 N通道
  • 500毫安 NPN, 100毫安 N-Channel
  • 6A
  • 500毫安 PNP, 100毫安 N Channel
  • 4A
  • 2A
  • 2.5A,2A
  • 2.6A
  • 80毫安
  • 150毫安
  • 50毫安 NPN, 10毫安 N Channel
  • 100毫安、10毫安
  • 2A PNP,5.47A P-通道
  • 50毫安 NPN, 10毫安 N-Channel
  • 700毫安
  • 600毫安 PNP, 115毫安 N-Channel
  • 500毫安 PNP, 100毫安 N-Channel
  • 15毫安 NPN,10毫安 N通道
  • 100毫安 NPN
  • 600毫安
  • 3A
  • 1A
  • 200毫安 PNP,115毫安 N通道
  • 100毫安 PNP,100毫安 N通道
  • 2.9A
  • 500毫安 NPN, 100毫安 N Channel
  • 400毫安PNP,115毫安
  • 100毫安
  • 100毫安 PNP,160毫安 N通道
  • 600毫安 NPN, 130毫安 P-Channel
  • 2A PNP,3.9A P通道
  • 500毫安
  • 2.5A
  • 50毫安
更多
供应商设备包装:
  • TO-247-4L HP
  • DFM
  • SOT-227
  • TO-247-4L HV
  • SMini5-F3-B
  • RS-4L
  • 15-SIP
  • 6-TSOP
  • DFS
  • ISOPLUS i4 PAC
  • 16-PDIP
  • T-DFN5564-4
  • 4-SOPA
  • FO-A
  • FO-B
  • GSIB-5S
  • SSMini6-F3-B
  • EMT6
  • 4-UDFN (3x3)
  • TS-6P
  • GBPC
  • 4-SOIC
  • Mini5-G3-B
  • PG-SOT-143-3D
  • PB-6
  • SSMINI6-F1
  • TO-5
  • SSMini6-F2
  • RS-25M
  • 6-MicroFET (2x2)
  • 4-MicroDIP/SMD
  • ABS
  • TSMT8
  • MBS
  • 4-SDIP
  • SMD5
  • WOG
  • TO-247-4L
  • SOT-363
  • PWS-E
  • 55FT
  • TO-220FP
  • 12-SIP
  • DB
  • 4-TBS
  • GBL(2S)
  • DBF
  • DBS
  • D-34
  • DPAK
  • SOT-553
  • V1-B-Pack
  • DBLS
  • SOT-26
  • V-DFN3030-8
  • 4-DFN (3.5x3.8)
  • DB-M
  • 4-DF
  • KBPC1
  • KBPC
  • GBPC-A
  • 8-DFN (3.3x3.3)
  • GBPC-W
  • KBPM
  • PG-SOT143-4
  • KBPR
  • LMBS-1
  • ECO-PAC1
  • DB-1
  • D3K
  • TO-269AA (MBS)
  • SDB-1
  • 16-SOIC
  • SC-74
  • GBJ
  • RS-2L
  • GBL
  • KBJ
  • KBL
  • HDS
  • DF-S
  • SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
  • KBP
  • 8-SOIC
  • GBU
  • UMT6
  • 4-MiniDIP
  • UMT5
  • MBS-1
  • 8-WDFN (3x3)
  • KBU
  • 5-CPH
  • BR-6
  • ABS(Z4)
  • SOT-143B
  • SOT-227(同位素)
  • SOT-563
  • D-63
  • U-DFN2020-6 (Type B)
  • 6-HUSON (2x2)
更多
晶体管类别:
  • 1 NPN预偏置,1 NPN
  • 3 NPN
  • 2 NPN(图腾柱)
  • 1个PNP预偏置,1个NPN
  • 2 NPN(双)
  • NPN,N通道栅极-漏极,源极箝位
  • 2 PNP预偏置(双)
  • NPN-雪崩模式
  • NPN预偏置,P通道
  • 2个NPN,2个PNP Darlington(H桥)
  • 2 NPN,PNP
  • 8 NPN Darlington
  • 2 NPN达林顿(双)
  • 4 PNP Darlington (Quad)
  • 1 PNP预偏置,1 PNP
  • NPN-发射极开关双极
  • NPN,PNP达林顿(双)
  • BYSISTOR
  • 3 NPN,3 PNP Darlington(三相桥)
  • 2 PNP-预偏置(双)
  • 2 NPN(双)电流镜
  • 4 NPN Darlington (Quad)
  • 5 NPN
  • 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合)
  • 2 NPN(双)匹配对,公共发射极
  • 4 N通道
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • NPN,P-通道
  • PNP预偏置,N通道
  • 7 NPN Darlington
  • 2 PNP(双)电流镜
  • PNP+二极管(隔离)
  • 4 NPN (Quad) Matched Pairs
  • NPN、PNP补充Darlington
  • NPN+齐纳二极管(隔离)
  • NPN、PNP(公共基础)
  • NPN+二极管(隔离)
  • 2 NPN,2 PNP
  • 2个NPN,2个PNP(H桥)
  • NPN,PNP
  • 3 NPN+2 PNP
  • 6 NPN Darlington
  • NPN-达林顿
  • 1个NPN预偏置,1个PNP
  • PNP,P通道
  • 4 PNP (Quad)
  • PNP,N通道
  • 3 PNP达林顿(发射器耦合)
  • NPN+FET
  • 2 PNP达林顿(双)
  • 9 NPN Darlington
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(基极-集电极结)
  • NPN
  • 2 PNP(双)匹配对
  • PNP预偏置,N通道预偏置
  • 2 NPN-预偏置(双)
  • NPN、PNP互补
  • NPN+PNP(发射极耦合)
  • 4 NPN, 1 PNP Darlington
  • NPN+PNP
  • 2 PNP(双)
  • 2 NPN(双)公共发射极
  • 5 PNP
  • 即插即用
  • 3 PNP Darlington,3 N通道(三相电桥)
  • 3 NPN达林顿(发射器耦合)
  • 2 PNP(双)匹配对,公共发射极
  • 6 NPN
  • 2 NPN,基极-集电极结
  • 2 NPN(双)公共基极
  • 2个N通道(双通道)
  • NPN、PNP(发射极耦合)
  • 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合)
  • 2个NPN,1个PNP-预偏置
  • 4 NPN (Quad)
  • PNP-达林顿
  • 3 PNP
  • 2 NPN(双)配对
  • NPN,N通道
更多
当前"分立半导体"共 162002 条相关库存
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
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品牌型号
描述
价格
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交期
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操作
IXGN400N30A3
IXGN400N30A3
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 300伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 735 W 供应商设备包装: SOT-227B

¥989.62375

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥989.62375

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MIO1200-33E11
MIO1200-33E11
IGBT型: NPT 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 3300伏 最大集电极电流 (Ic): 1200 A 供应商设备包装: E11

¥1,951.08107

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,951.08107

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IXGN50N60BD2
IXGN50N60BD2
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SOT-227B

¥4,593.39701

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,593.39701

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FZ2400R17HP4B9HOSA2
FZ2400R17HP4B9HOSA2
PP, IHM I, XHP 1,7KV

¥7,537.97575

100

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,537.97575

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IXGN50N60BD3
IXGN50N60BD3
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: SOT-227B

¥5,543.38249

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,543.38249

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MIO1500-25E10
MIO1500-25E10
IGBT型: NPT 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 2500伏 最大集电极电流 (Ic): 1500 A 供应商设备包装: E10

¥1,206.24705

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,206.24705

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FD800R17KF6CB2NOSA1
FD800R17KF6CB2NOSA1
FD800R17KF6C_B2 - 1700V IGBT MOD

¥8,614.85012

100

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,614.85012

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IXGN60N60C2
IXGN60N60C2
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SOT-227B

¥5,054.56279

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,054.56279

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FZ1600R17KF6CB2NOSA1
FZ1600R17KF6CB2NOSA1
FZ1600R17KF6C_B2 - 1700V IGBT MO

¥9,560.62800

101

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,560.62800

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MIO600-65E11
MIO600-65E11
IGBT型: NPT 参数配置: 单个开关 集电极击穿电压: 6500 V 最大集电极电流 (Ic): 600 A 供应商设备包装: E11

¥71,997.59260

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥71,997.59260

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IXGN60N60C2D1
IXGN60N60C2D1
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: SOT-227B

¥6,724.05631

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,724.05631

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FD400R33KF2CNOSA1
FD400R33KF2CNOSA1
FD400R33 - IGBT MODULE

¥11,279.29574

60

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,279.29574

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MITA30WB600TMH
MITA30WB600TMH
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1600伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 供应商设备包装: MiniPack2

¥998.31064

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥998.31064

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IXGN80N60A2
IXGN80N60A2
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SOT-227B

¥1,915.04104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,915.04104

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MKI50-06A7T
MKI50-06A7T
IGBT型: NPT 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 72 A 最大功率: 225瓦 供应商设备包装: E2

¥1,831.01355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,831.01355

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IXGN80N60A2D1
IXGN80N60A2D1
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 160 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: SOT-227B

¥1,782.61204

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,782.61204

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FZ3600R17KE3B2NOSA1
FZ3600R17KE3B2NOSA1
FZ3600R17KE3 - IGBT MODULE

¥13,710.08541

502

5-7 工作日

- +

合计: ¥13,710.08541

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MKI65-06A7T
MKI65-06A7T
参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 600 V 供应商设备包装: E2

¥6,084.92398

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,084.92398

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FZ800R12KE3HOSA1
FZ800R12KE3HOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 800 A 最大功率: 3550 W 供应商设备包装: Module

¥1,629.94222

9

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,629.94222

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IXSN55N120A
IXSN55N120A
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SOT-227B

¥3,461.38104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,461.38104

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