分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥22.09085 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.09085 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 5261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 250mW(Ta)、770mW(Tc) 供应商设备包装: SC-75 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.21729 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.86100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.25739 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.25739 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 8DFN 5X6 | ¥33.01314 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.01314 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 79374 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安(Ta) 最大功耗: 230mW (Ta), 1.06W (Tc) 供应商设备包装: SC-75 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥66.96785 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.96785 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | ¥4.27331 | 7960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.27331 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 40V DPAK | ¥34.86732 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.86732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥98.11232 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.11232 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥24.36512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.36512 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.49156 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.49156 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta) 最大功耗: 275mW (Ta), 1.065W (Tc) 供应商设备包装: SC-70 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.57943 | 8755 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3 | ¥22.43850 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.43850 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 29.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥68.01083 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.01083 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥9.77792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.77792 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A (Ta), 53A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 26W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥45.55784 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.55784 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥55.62547 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.62547 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN | ¥0.60044 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.60044 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 275mW (Ta), 1.785W (Tc) 供应商设备包装: SC-70 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.43457 | 40025 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 |