分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.84948 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.84948 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: LPTS 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥13.97880 | 1965 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥74.67430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.67430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 | ¥11.63210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.63210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥56.55933 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.55933 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥6.14198 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.14198 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.08644 | 294814 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.02561 | 2330 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.02561 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 250mW(Ta)、770mW(Tc) 供应商设备包装: SC-75 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.15503 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.15503 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.55823 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥24.87212 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.87212 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥69.69118 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.69118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥106.02157 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.02157 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 35伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.72429 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 250mW(Ta)、770mW(Tc) 供应商设备包装: SC-75 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.36023 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.36023 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 500V 16A LPT | ¥21.29413 | 816 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.29413 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.25097 | 25280 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.25097 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.33030 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.33030 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 8DFN 5X6 | ¥35.35984 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.35984 | 添加到BOM 立即询价 |