9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的BSS84AKT，115，现场在9icnet销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BSS84AKT，115价格参考1.264美元。NXP美国股份有限公司BSS84AKT，115封装/规格：MOSFET P-CH 50V 150MA SC75。您可以下载BSS84AKT，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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BSS84AKS，115是MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6SSOP，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，最大功率为445mW，该器件提供50V漏极到源极电压Vdss，该器件具有36pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为160mA，最大Id Vgs上的Rds为7.5 Ohm@100mA，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.35nC@5V。
BSS84AKMB，315是MOSFET P-CH 50V 230MA 3DFN，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3-DFN1006B（0.6x1）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于7.5 Ohm@100mA，10V，提供功率最大功能，如360mW，包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及3-XFDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供36pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有0.35nC@5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为50V，25°C电流连续漏极Id为230mA（Ta）。
BSS84AKS，带有NXP制造的电路图。BSS84AKS在SOT-363封装中提供，是FET阵列的一部分。
BSS84AKT，带有NXP制造的EDA/CAD模型。BSS84AKT在SOT-416封装中提供，是FET的一部分-单个。
