分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、21A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.06715 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.06715 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.67124 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.67124 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 53A (Ta), 378A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.76487 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.76487 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Ta) 最大功耗: 2.1W (Ta), 72W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 175摄氏度(TJ) | ¥3.98360 | 3344 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | ¥3.69388 | 3436 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.91702 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.91702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥14.71757 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.71757 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 375mW (Ta), 4.35W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥38.66260 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.66260 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 53A (Ta), 378A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.25499 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.25499 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 94W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.93246 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.93246 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC | ¥9.41577 | 18 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.41577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥33.37528 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.37528 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.94924 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: SC-74 | ¥45.60130 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.60130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥5.02657 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.02657 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 53A (Ta), 378A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.50508 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.50508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 18.8W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥74.32664 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.32664 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 139W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.02561 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.02561 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3 | ¥2.82473 | 2447 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 |