分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.15407 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 545mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: SC-74 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥44.28309 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.28309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.70021 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.70021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC | ¥11.51621 | 926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.51621 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.9W(Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.83730 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.83730 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥19.94695 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.94695 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.65186 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.10285 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.10285 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC | ¥11.22650 | 78 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥60.69550 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.69550 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥10.57463 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.85034 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.85034 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.7A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥50.90310 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.90310 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、113W(Tc) 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥62.85389 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.85389 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP | ¥9.05363 | 1594 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.05363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.63498 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.63498 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 1.6W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥21.00441 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.00441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥9.61857 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.61857 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 540mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.59545 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.59545 | 添加到BOM 立即询价 |