分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | ¥12.73302 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.73302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥27.24779 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.24779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PF5102 - N-CHANNEL LOW-FREQUENCY | ¥23.36560 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.36560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.70885 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.70885 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DUAL N & P-CHANNEL POWERTRENCH M | ¥16.78904 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.78904 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 92A(Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.17047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.37912 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.37912 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.87020 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.87020 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.70645 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.70645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.29844 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.29844 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 87W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥35.77221 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.77221 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 176W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.59851 | 91 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.59851 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 523A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.74607 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.74607 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | ¥27.26228 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.26228 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.76784 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.76784 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 168W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 | ¥46.96296 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.96296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK | ¥22.27916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.27916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥58.76889 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.76889 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 550V TO-220 | ¥27.81274 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.81274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BLA0912-250 - N-CHANNEL LDMOS AV | ¥20.19321 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.19321 | 添加到BOM 立即询价 |