9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8558SDC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8558SDC参考价格为1.758美元。onsemi FDMS8558SDC封装/规格：功率场效应晶体管，3。您可以下载FDMS8558SDC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS8460是MOSFET N-CH 40V 25A POWER56，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002402盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1信道数信道，器件具有供应商器件封装的Power56，配置为单四漏极三源极，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为7205pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为25A（Ta），49A（Tc），Rds On最大Id Vgs为2.2mOhm@25A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为110nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通-漏极电阻为2.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型的开启延迟时间为19ns，信道模式为增强。
FDMS8558S是MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.003175 oz单位重量运行，数据表中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及1.5 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为Power-56-8，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为38 a，配置为双通道。
FDMS8350LET40带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作。
