分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、16A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、18W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.91165 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.91165 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88 | ¥6.19992 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.19992 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.38536 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.38536 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 2. | ¥54.03203 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.03203 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO-247AD | ¥51.74328 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.74328 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88 | ¥6.38824 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.38824 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.09181 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.09181 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70 | ¥13.55871 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.55871 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.25211 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.25211 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.18034 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.18034 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP-6-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.13958 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.13958 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 480伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.70021 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.70021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥56.71191 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.71191 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23 | ¥48.00594 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.00594 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.85615 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.85615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 10.42W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.58624 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.58624 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥59.04412 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.04412 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 480伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.18544 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.18544 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK | ¥16.42690 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.42690 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 54A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 71W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.90201 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.90201 | 添加到BOM 立即询价 |