9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPP07N60C3HKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPP07N60C3HKSA1参考价格为0.842598美元。Infineon Technologies SPP07N60C3HKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3。您可以下载SPP07N60C3HKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPP07N60C3是MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220-3 CoolMOS C3，包括CoolMOS C3-系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000681030 SPP07N70C3HKSA1 SPP07N80C3XK SPP07N50C3XKSA1的零件别名，该SPP07N40C3XKSA2提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPP6N80C3是MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为15 ns，漏极源极电阻Rds为900 mOhms，Pd功耗为83 W，零件别名为SP000683154 SPP6N80C3XK SPP106N80C3XKSA1，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP6N80C3XKSA1是MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3，包括通孔安装型，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，包装如数据表中所示，用于管中，提供零件别名功能，如SP000683154 SPP6N8OC3 SPP6N80X3XK，系列设计用于XPP06N80，以及Si技术，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，单位重量为0.211644盎司。
SPP07N60C2，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。SPP07N60C2采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
