分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 324W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.46019 | 350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,611.06545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 293W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.66347 | 3369 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥8.21345 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.21345 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.80737 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.80737 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.71997 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.71997 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥51.35216 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.35216 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.25787 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.25787 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥2.96959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥8.93774 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.93774 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥65.59603 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.59603 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.91069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.91069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥17.13670 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.13670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥81.58403 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81.58403 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥11.38584 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.38584 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥68.32952 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.32952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.32502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.32502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥10.57463 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥48.77369 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.77369 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥22.13430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.13430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR | ¥43.37049 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.37049 | 添加到BOM 立即询价 |