分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.91069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.91069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.97832 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.97832 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.33126 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: PQFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.83586 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.83586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥130.54603 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥130.54603 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.94983 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.94983 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: 3-PFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.64859 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.64859 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: 3-PFN(8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥71.42948 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.42948 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.70405 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.70405 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥32.37576 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.37576 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 16SOIC | ¥9.41577 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.41577 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 16SOIC | ¥94.86750 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.86750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥25.39361 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.39361 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥22.35159 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.35159 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥28.31974 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.31974 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥62.66557 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.66557 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥21.17824 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.17824 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥50.03395 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.03395 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH WAFER | ¥57.69694 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.69694 | 添加到BOM 立即询价 |