分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥52.55448 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.55448 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.51957 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.51957 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥33.52014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.52014 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥21.85907 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.85907 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥20.16423 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.16423 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥21.49693 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.49693 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥121.52138 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥121.52138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 28.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 28.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥77.51352 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.51352 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 41.7W (Tc) 供应商设备包装: MP-3A 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥48.42603 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.42603 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.61761 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.61761 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC | ¥24.26372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.26372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.41769 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.41769 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥68.47438 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.47438 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO-252 | ¥46.39802 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.39802 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO-252 | ¥80.83076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.83076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO-252 | ¥6.35927 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.35927 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.56207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.56207 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET DFN 5X6 | ¥13.08068 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.08068 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.43122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.43122 | 添加到BOM 立即询价 |