分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.42930 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.42930 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~155摄氏度(TJ) | ¥44.63075 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.63075 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.54662 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 24W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥49.65732 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.65732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、39A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、26W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.54182 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.54182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.84267 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.84267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.25067 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.25067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、24A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.75767 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.75767 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 40A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 36W (Tc) 供应商设备包装: DFN5x6(PR-PAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.55727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.55727 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: DFN5x6(PR-PAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.90262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.90262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V TOLLA | ¥34.30237 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.30237 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥95.86702 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.86702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET/SCHOTTKY NCH SOT-563 | ¥13.76151 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.76151 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥191.53125 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥191.53125 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、140A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.95175 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.95175 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.55055 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.55055 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 600V 2A TO252 | ¥30.43467 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.43467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 540W (Tc) 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.66059 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.66059 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.93A (Ta) 最大功耗: 1.15W(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.47323 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.47323 | 添加到BOM 立即询价 |