分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS | ¥2.00896 | 114000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.68900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.83953 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT2292C - N-CHANNEL DUAL POWER | ¥2.25001 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.25676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HAT3043C - NCH/PCH DUAL POWER MO | ¥2.25001 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.25676 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PSMN017-30EL - N-CHANNEL 30V LO | ¥2.26428 | 7475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.43973 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.66107 | 6317 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥52.72831 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.72831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.87596 | 1926 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.87596 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.94839 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.94839 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.78952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.98120 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.98120 | 添加到BOM 立即询价 | ||
UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC | ¥7.64561 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.35182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | 78000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.01094 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RQM2201DNS - N CHANNEL MOSFET | ¥7.90932 | 32000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.15341 | 添加到BOM 立即询价 | ||
FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | 203778 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.45188 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NP28N10SDE-E1-AY - MOS FIELD EFF | ¥8.92753 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.38882 | 添加到BOM 立即询价 | ||
FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET, | ¥9.13858 | 11630 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.84441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 35.7W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.32214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.32214 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-31 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.75671 | 277 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.75671 | 添加到BOM 立即询价 |